Samsung phát triển công nghệ pin mới

Bộ phận nghiên cứu của Samsung Electronics cho biết đã phát triển một công nghệ mới nhằm mục tiêu tăng gấp đôi mật độ lưu trữ năng lượng so với pin lithium hiện có, theo Neowin. 

Samsung đang có những nỗ lực lớn nhằm cải thiện pin lithium trên smartphone

Được phát triển và thương mại hóa từ những năm 1990 bởi Sony, pin lithium hiện nay đã trở nên cổ xưa và tụt hậu so với những cải tiến về công nghệ, như chip xử lý nhanh hơn, màn hình mật độ điểm ảnh dày đặc hơn, ăng-ten không dây gửi nhiều dữ liệu hơn…

Trước đây, các nhà nghiên cứu tại Mỹ đã đưa ra kỹ thuật sử dụng silicon đóng vai trò là vật liệu cathode để thay thế cho than chì, điều này giúp khả năng lưu trữ năng lượng tăng lên gấp 10 lần. Tuy nhiên, nó vẫn đi kèm nhược điểm khi rút ngắn tuổi thọ pin bằng cách lặp đi lặp lại hoạt động sạc và xả.

Với công nghệ mới từ trung tâm nghiên cứu và phát triển (R&D) của Samsung Electronics, nhược điểm này đã được khắc phục. Theo Samsung, họ đặt các hạt nano Si trong lớp graphene. Nhờ tính chất điện và cơ khí tuyệt vời của graphene mà lớp này có thể trượt xung quanh các hạt Si, cho phép nó giãn ra hoặc co lại khi cần thiết. Đây là cách khéo léo và đảm bảo cung cấp không gian cần thiết để chứa năng lượng trên đó.

Bằng cách sử dụng kỹ thuật này, Samsung đã có thể tạo ra pin với anode (cực dương) Si, tăng gần như gấp đôi năng lượng so với hiện tại, trong khi vẫn duy trì kích thước, khối lượng và độ an toàn. Trong thực tế, pin mới cung cấp mật độ năng lượng cao gấp 1,8 lần so với pin lithium hiện nay, và mật độ năng lượng tăng 1,5 lần sau 200 chu kỳ sạc. Thậm chí, sau nhiều chu kỳ sạc sau đó, pin vẫn cung cấp cải tiến lớn so với hiện tại.

Đây là một phần trong những nỗ lực cải thiện pin mà Samsung đang thực hiện để phân biệt sản phẩm của hãng với các đối thủ khác trên thị trường smartphone. Không chỉ có vậy, nó cũng có thể được áp dụng cho ngành công nghiệp xe điện. Vấn đề là, giới phân tích nhận điện công nghệ này cần phải mất hai hoặc ba năm mới có thể đưa vào thương mại hóa.

Nguồn: TNO